Les condensateurs snubber IGBT pour onduleur Convertisseur de fréquence d'alimentation de chauffage par induction

N° de Modèle.
Snubber
Paquet de Transport
Carton
Spécifications
DC Link
Marque Déposée
SMILER
Origine
Guangdong, China (Mainland)
Capacité de Production
50, 000 PCS Per Day
Prix de référence
$ 1.08 - 1.35
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Description de Produit


IGBT Snubber Capacitors for Inverter Power Supply Frequency Converter Induction Heater  
Norme de référence GB/T17702,IEC61071
Catégorie climatique 40-85/21
Plage de température de fonctionnement -40ºC~85ºC
Tension nominale 700VDC~4000VCC
Gamme de capacités 0.0068μF~10μF
La capacité de la tolérance ±5 %(J),±10%(K)
Altitude max. 2000m
Durée de vie expecyancy 100 000h (ONU, θhs=70ºC)
Taux de défaillance 50 Mettre en place
Résistance d'isolement Le CN≤0,33 μF ≥1000000MΩ  (60s, 20 ± 5 ºC,500V. DC)
Le cn>0.33μF IR*CN≥30000S (60s, 20 ± 5 ºC,500V. DC)
Tension de résistance 1.5Un(10s,20 ± 5 ºC)
Surtension 1.1Un 30%de sur-load-dur
1.15ONU 30min/jour
1.2Un 5min/jour
1.3Un 1min/jour
Tgδo 6*10-4

 
IGBT Snubber Capacitors for Inverter Power Supply Frequency Converter Induction Heater  
IGBT Snubber Capacitors for Inverter Power Supply Frequency Converter Induction Heater

  • Excellente résistance à flammabilityFeatures active et passive d'excellentes propriétés de l'auto-guérison  fonctionnalités

  • Longue durée de vie

  • Haute fiabilité

  • Haute résistance d'isolement
  • Retardateur de flamme
 
IGBT Snubber Capacitors for Inverter Power Supply Frequency Converter Induction Heater
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Il est largement produisent des condensateurs de liaison CC, condensateurs de filtre, condensateurs snubber, le couplage des condensateurs, AC, condensateur de compensation du condensateur de filtrage et ainsi de suite, d'alimentation, le placage d'alimentation, UPS, le chauffage par induction de la machine et d'autres types d'appareils électroniques.

Utilisé pour la mise en mémoire tampon d'absorption, la ligne d'impulsion haute, MOSFET haute fréquence de mise en mémoire tampon d'absorption, la tension de résonance.
La barre omnibus inductance et de l'inductance résiduelle dans le circuit de mémoire tampon et de ses composants ont une grande influence sur les circuits de l'IGBT, en particulier les circuits de l'IGBT de puissance élevée. Par conséquent, plus le mieux. Afin de réduire ces inductances, nous avons besoin pour démarrer à partir de nombreux aspects.
  1. Le bus CC doit être aussi courte que possible ;
  2. Le circuit de mémoire tampon doit être aussi proche que possible pour le module ;
  3. Le polypropylène placage autocatalytique au condensateur avec une faible inductance, fast lettré avec diode de mémoire tampon IGBT, et de la non-inductifs résistance de décharge sont sélectionnés.
  4.  D'autres mesures efficaces. Processus de production du circuit de mémoire tampon a aussi une variété de façons: utile parties distinctes connecté ; relié par une plaque imprimée ; plus utile du module du condensateur tampon installé directement sur le module IGBT. De toute évidence, le dernier moyen est en ligne avec le deuxième et troisième ci-dessus des mesures pour réduire la sensation, de sorte que l'effet tampon est le meilleur, peut maximiser la protection de la sécurité de fonctionnement de l'IGBT.

 

Condensateur

EMOTIVEDESIGN.PT, 2023